-
1 Emitterspannung
напряжение на эмиттере фототранзистора
Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uбэ
Uкэ
UEB
UEC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- tension d’émetteur
103. Напряжение на эмиттере фототранзистора
D. Emitterspannung
E. Emitter voltage
F. Tension d'émetteur
Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора
UEC
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitterspannung
-
2 emitter voltage
напряжение на эмиттере фототранзистора
Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uбэ
Uкэ
UEB
UEC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- tension d’émetteur
103. Напряжение на эмиттере фототранзистора
D. Emitterspannung
E. Emitter voltage
F. Tension d'émetteur
Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора
UEC
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter voltage
-
3 emitter bias
1) Техника: смещение на эмиттере2) Телекоммуникации: смещение эмиттера3) Электроника: напряжение смещения на эмиттере, эмиттерное смещение -
4 Kollektor-Basis-Spannung bei offenem Emitteranschluss
сущ.микроэл. напряжение коллектор-база при отключённом эмиттере, напряжение коллектор-база при разомкнутом эмиттереУниверсальный немецко-русский словарь > Kollektor-Basis-Spannung bei offenem Emitteranschluss
-
5 napětí emitoru
-
6 tension d’émetteur
напряжение на эмиттере фототранзистора
Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uбэ
Uкэ
UEB
UEC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- tension d’émetteur
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension d’émetteur
-
7 Tension d'émetteur
103. Напряжение на эмиттере фототранзистора
D. Emitterspannung
E. Emitter voltage
F. Tension d'émetteur
Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора
UEC
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Tension d'émetteur
-
8 Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
-
9 Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
темновой ток коллектор-база фототранзистора
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IбТ К
IСBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité collecteur-base de phototransistor
113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Collector-base dark current of a photo-transistor
F. Courant d'obscurité collecteur-base de phototransistor
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
-
10 emitter bias
напряжение смещения на эмиттере
эмиттерное смещение
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter bias
-
11 collector-base breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-base breakdown voltage of a phototransistor
-
12 emitter current
1) Техника: ток эмиттера, эмиттерный ток2) Электрохимия: ток на эмиттере -
13 emitter voltage
1) Электроника: напряжение эмиттера, эмиттерное напряжение2) Электрохимия: напряжение на эмиттере -
14 Emitterdotierung
сущ.микроэл. концентрация легирующей примеси в эмиттере, легирование эмиттера -
15 Emitterspannung
сущ.1) радио. напряжение на эмиттере2) электр. напряжение эмиттера3) микроэл. эмиттерное напряжение -
16 Emitterverlustleistung
Универсальный немецко-русский словарь > Emitterverlustleistung
-
17 Emittervorspannung
сущ.1) электр. напряжение смещения эмиттера2) микроэл. напряжение смещения на эмиттере, смещение эмиттера -
18 Kollektorreststrom bei offenem Emitteranschluss
Универсальный немецко-русский словарь > Kollektorreststrom bei offenem Emitteranschluss
-
19 Emitterspannung
fэмиттерное напряжение, напряжение эмиттера [на эмиттере]Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Emitterspannung
-
20 Emittervorspannung
fнапряжение смещения на эмиттере, смещение эмиттераDeutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Emittervorspannung
- 1
- 2
См. также в других словарях:
напряжение смещения на эмиттере — emiterio priešįtampis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. emitter bias vok. Emittervorspannung, f rus. напряжение смещения на эмиттере, n pranc. tension préalable d émetteur, f … Automatikos terminų žodynas
напряжение на эмиттере фототранзистора — Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. Обозначение Uбэ Uкэ UEB UEC [ГОСТ 21934 83] Тематики приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр. EN emitter voltage DE Emitterspannung FR… … Справочник технического переводчика
напряжение смещения на эмиттере — эмиттерное смещение — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999] Тематики электротехника, основные понятия Синонимы эмиттерное смещение EN emitter bias … Справочник технического переводчика
Напряжение на эмиттере фототранзистора — 103. Напряжение на эмиттере фототранзистора D. Emitterspannung E. Emitter voltage F. Tension d émetteur Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора UEC Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
СВЕРХИНЖЕКЦИЯ — явление, возникающее при инжекции неосновныхносителей заряда в гетеропереходе, заключающееся в превышении концентрациинеосновных носителей в материале, в к рый происходит инжек ция, по сравнениюс концентрацией носителей в эмиттере. С. электронов… … Физическая энциклопедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ — испускание электронов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум или др. среду. Выйти из тела могут только те электроны, энергия к рых больше энергии покоящегося вне эмиттера электрона (см. Работа выхода). Число таких электронов (обычно это электроны … Физическая энциклопедия
Время восстановления — обратного сопротивления базы диода это переходный процесс, возникающий при переключении диода из проводящего состояния (прямого) в закрытое. Процесс обратного восстановления (ОВ) в большей степени характерен диодам на p n переходе, в отличие от… … Википедия
Обратное восстановление — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей … Википедия